[发明专利]双向晶闸管装置在审
| 申请号： | 202180079111.4 | 申请日： | 2021-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN116490978A | 公开（公告）日： | 2023-07-25 |
| 发明（设计）人： | J·伏贝基;U·维穆拉帕蒂 | 申请（专利权）人： | 日立能源瑞士股份公司 |
| 主分类号： | H01L29/08 | 分类号： | H01L29/08 |
| 代理公司： | 北京市汉坤律师事务所 11602 | 代理人： | 王其文;张涛 |
| 地址： | 瑞士*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了一种双向晶闸管装置(1)，包括半导体本体(2)，该半导体本体在第一主表面(21)与第二主表面(22)之间延伸，其中第一主电极(31)和第一栅电极(41)布置在第一主表面上，并且第二主电极(32)和第二栅电极(42)布置在第二主表面上。第一主电极包括彼此间隔开的多个第一段(310)，其中在到第一主表面上的视图中，第一段中的至少一些完全被第一栅电极包围。第二主电极包括彼此间隔开的多个第二段(320)，其中在到第二主表面上的视图中，第二段中的至少一些完全被第二栅电极包围。双向晶闸管装置(1)还包括第一、第二和第三基极区域(51、52、53)以及在这些基极区域的任一侧部上的发射极区域(61、62)。发射极区域(61、62)包括与这些发射极区域的导电类型相反的导电类型的发射极短路区域(71、72)。因此，取决于使用装置的方向，主电极的第一段和第二段可起到阴极或阳极电极的作用。栅极可具有蜂窝(六边形)图案。 | ||
| 搜索关键词： | 双向 晶闸管 装置 | ||
【主权项】：
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