[发明专利]双向晶闸管装置

权利要求书

1.一种双向晶闸管装置(1)，包括：

-半导体本体(2)，所述半导体本体在第一主表面(21)与第二主表面(22)之间延伸，

-第一主电极(31)，所述第一主电极布置在所述第一主表面(21)上，

-第二主电极(32)，所述第二主电极布置在所述第二主表面(22)上，

-第一栅电极(41)，所述第一栅电极布置在所述第一主表面(21)上，

-第二栅电极(42)，所述第二栅电极布置在所述第二主表面(22)上，

其中，

-所述第一主电极(31)包括彼此间隔开的多个第一段(310)，其中，在到所述第一主表面(21)上的视图中，所述第一段(310)中的至少一些第一段完全被所述第一栅电极(41)包围，并且

-所述第二主电极(32)包括彼此间隔开的多个第二段(320)，其中，在到所述第二主表面(22)上的视图中，所述第二段(320)中的至少一些第二段完全被所述第二栅电极(42)包围，并且

-所述多个第一段(310)中的一者经由至少一个第一发射极区域(61)充当第一晶闸管功能元件(11)的阴极，并且经由至少一个第一发射极短路区域(71)充当第二晶闸管功能元件(12)的阳极。

2.根据权利要求1所述的双向晶闸管装置(1)，

其中，所述半导体本体(2)包括：

-第一导电类型的第一基极层(51)，

-所述第一导电类型的第二基极层(52)，

-布置在所述第一基极层(51)与所述第二基极层(52)之间的不同于所述第一导电类型的第二导电类型的第三基极层(53)，

其中，所述第一段(310)中的每一者毗连所述第二导电类型的所述至少一个第一发射极区域(61)和所述第一导电类型的所述至少一个第一发射极短路区域(71)。

3.根据权利要求2所述的双向晶闸管装置(1)，

其中，所述第一栅电极(41)与所述第一基极层(51)形成欧姆接触。

4.根据前述权利要求中任一项所述的双向晶闸管装置(1)，

其中，所述第二主电极(32)的所述第二段(320)中的每一者毗连所述第二导电类型的至少一个第二发射极区域(62)和所述第一导电类型的至少一个第二发射极短路区域(72)。

5.根据前述权利要求中任一项所述的双向晶闸管装置(1)，

其中，所述第一栅电极(41)包括具有多个第一单元格(4110)的第一栅格结构(411)，在到所述第一主表面(21)上的视图中，所述多个第一单元格具有多边形形状。

6.根据权利要求5所述的双向晶闸管装置(1)，

其中，所述第一栅格结构(411)至少在区域中形成蜂窝图案。

7.根据权利要求5或6所述的双向晶闸管装置(1)，

其中，所述第一单元格(4110)中的至少一者的一个侧部(4111)的长度(L1)在500μm与5000μm之间并且包括端值。

8.根据权利要求5至7中任一项所述的双向晶闸管装置(1)，

其中，所述第一单元格(4110)中的至少一者的一个侧部(4111)的宽度(W1)在100μm与2000μm之间并且包括端值。

9.根据权利要求5至8中任一项所述的双向晶闸管装置(1)，

其中，至少一个第一发射极短路区域(71)的最大横向范围(E1)在50μm与1000μm之间并且包括端值。

10.根据权利要求5至9中任一项所述的双向晶闸管装置(1)，

其中，多个第一发射极短路区域(71)布置在所述第一单元格(4110)中的一者内。

11.根据权利要求10所述的双向晶闸管装置(1)，

其中，布置在同一个第一单元格内的至少两个第一发射极短路区域(71)在最大横向范围方面彼此不同。