[发明专利]导电性二维粒子及其制造方法在审

专利信息
申请号: 202180053101.3 申请日: 2021-08-27
公开(公告)号: CN116096669A 公开(公告)日: 2023-05-09
发明(设计)人: 坂本宙树;小柳雅史;柳町章麿 申请(专利权)人: 株式会社村田制作所
主分类号: B82Y30/00 分类号: B82Y30/00
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 韩聪
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 提供一种导电性二维粒子及其制造方法,氯与溴的含有率在一定以下,适合于无卤素用途,此外不使用粘合剂就能够形成高导电性薄膜。上述导电性二维粒子,是包含1个层、或包含1个层和多个层的层状材料的导电性二维粒子,其中,所述层包括:由下式:MmXn(式中,M是至少一种的第3、4、5、6、7族金属,X是碳原子、氮原子或其组合,n为1以上且4以下,m大于n并在5以下)表示的层主体;存在于该层主体的表面的修饰或末端T(T是从羟基、氟原子、氯原子、氧原子和氢原子所构成的群中选择的至少一种),所述层的M与从PO43‑、I和SO42‑所构成的群中选择的至少一种结合,氯与溴的合计含有率为1500质量ppm以下,所述二维粒子的二维面的长径的平均值为1.0μm以上。
搜索关键词: 导电性 二维 粒子 及其 制造 方法
【主权项】:
暂无信息
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