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- [发明专利]包括低折射率涂层和辐射改性层的器件-CN202180077289.5在审
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M·海兰德;Z·王;Y-L·常;王琦;张英杰
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OTI照明公司
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2021-10-11
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2023-06-23
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B82Y30/00
- 本发明公开了一种半导体器件，该半导体器件具有沉积在基板上的多个层并且在由其侧向轴限定的至少一个侧向朝向延伸，该半导体器件包括：设置在第一层表面上的至少一个(较)低折射率涂层，以及嵌入在该至少一个(较)低折射率涂层内并且包括至少一种颗粒结构的至少一个EM辐射改性层，该至少一种颗粒结构包括沉积材料。将该至少一个EM辐射改性层的该至少一种颗粒结构嵌入在该至少一个(较)低折射率涂层内修改了该至少一个EM辐射改性层的针对EM辐射的吸收光谱，该EM辐射在EM光谱的至少一部分中以相对于该至少一个EM辐射改性层中的侧向朝向的非零角度至少部分地穿过该至少一个EM辐射改性层。包括第一至少一个(较)低折射率涂层的下部可设置在该第一层表面与该至少一个EM辐射改性层之间，并且包括第二至少一个(较)低折射率涂层的第二部分可设置在该至少一个EM辐射改性层上。
- 包括折射率涂层辐射改性器件
- [发明专利]导电性二维粒子及其制造方法-CN202180053101.3在审
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坂本宙树;小柳雅史;柳町章麿
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株式会社村田制作所
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2021-08-27
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2023-05-09
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B82Y30/00
- 提供一种导电性二维粒子及其制造方法，氯与溴的含有率在一定以下，适合于无卤素用途，此外不使用粘合剂就能够形成高导电性薄膜。上述导电性二维粒子，是包含1个层、或包含1个层和多个层的层状材料的导电性二维粒子，其中，所述层包括：由下式：MmXn(式中，M是至少一种的第3、4、5、6、7族金属，X是碳原子、氮原子或其组合，n为1以上且4以下，m大于n并在5以下)表示的层主体；存在于该层主体的表面的修饰或末端T(T是从羟基、氟原子、氯原子、氧原子和氢原子所构成的群中选择的至少一种)，所述层的M与从PO43‑、I和SO42‑所构成的群中选择的至少一种结合，氯与溴的合计含有率为1500质量ppm以下，所述二维粒子的二维面的长径的平均值为1.0μm以上。
- 导电性二维粒子及其制造方法
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