[发明专利]导电性二维粒子及其制造方法

权利要求书

1.一种导电性二维粒子，是包含1个层、或包含1个层和多个层的层状材料的导电性二维粒子，其中，

所述层包括：

由下式：M_mX_n表示的层主体，

式中，M是至少一种的第3、4、5、6、7族金属，

X是碳原子、氮原子或碳原子和氮原子的组合，

n为1以上且4以下，

m为大于n并在5以下；

存在于该层主体的表面的修饰或末端T，

T是从羟基、氟原子、氯原子、氧原子和氢原子所构成的群中选择的至少一种，

所述层的M与从PO₄^3-、I和SO₄^2-所构成的群中选择的至少一种结合，

氯与溴的合计含有率为1500质量ppm以下，

所述导电性二维粒子的二维面的长径的平均值为1.0μm以上。

2.根据权利要求1所述的导电性二维粒子，其中，满足从磷原子的含有率为0.20质量％以上且14质量％以下、碘原子的含有率为1.0质量％以上且60质量％以下、和硫原子的含有率为0.03质量％以上且18质量％以下所构成的群中选择的至少1个。

3.根据权利要求1或2所述的导电性二维粒子，其中，厚度的平均值为5nm以下。

4.一种导电性二维粒子的制造方法，其中，包括：

(a)准备由下式：M_mAX_n表示的前驱体，

式中，M是至少一种的第3、4、5、6、7族金属，

X是碳原子、氮原子或碳原子和氮原子的组合，

A是至少一种的第12、13、14、15、16族元素，

n为1以上且4以下，

m为大于n并在5以下；和

(b)使用蚀刻液，从所述前驱体蚀刻A原子，所述蚀刻液满足从H₃PO₄浓度为5.5M以上、HI浓度为5.0M以上、和H₂SO₄浓度为5.0M以上所构成的群中选择的至少1个。

5.根据权利要求4所述的导电性二维粒子的制造方法，其中，在所述(b)的蚀刻之后，进行插层处理和分层处理。

6.一种导电性薄膜，其含有权利要求1～3中任一项所述的导电性二维粒子。

7.一种导电膏，其含有权利要求1～3中任一项所述的导电性二维粒子。

8.一种导电性复合材料，其含有权利要求1～3中任一项所述的导电性二维粒子和树脂。