[发明专利]通过MBE和其它技术所生长的低缺陷光电子器件在审
| 申请号： | 202180042499.0 | 申请日： | 2021-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN115803898A | 公开（公告）日： | 2023-03-14 |
| 发明（设计）人： | 奥雷利安·大卫;尼古拉斯·格朗让;卡米列·哈勒;让-弗朗索瓦·卡林;塞巴斯蒂安·帕斯卡·塔玛里兹考夫曼 | 申请（专利权）人： | 谷歌有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/06 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 李佳;周亚荣 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
通过分子束外延(MBE)使光电子器件生长的方法包括：在MBE生长室中提供基板；使n掺杂层、p掺杂层和在所述n掺杂层与所述p掺杂层之间的发光层在所述基板上生长；以及控制生长，使得所述发光层包括具有大于20％的In含量的多个含In量子阱层、具有大于1％的In含量的多个含In势垒层，并且不包括任何GaN势垒，其中使所述发光层生长包括使所述量子阱层和所述势垒层交替生长并且使得所述量子阱层具有小于5×10 |
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| 搜索关键词： | 通过 mbe 其它 技术 生长 缺陷 光电子 器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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