[发明专利]多层电子设备及其制造方法在审
| 申请号： | 202180041341.1 | 申请日： | 2021-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN115803895A | 公开（公告）日： | 2023-03-14 |
| 发明（设计）人： | D·乌鲁切克;陈同来;刘宇航;V·C·S·罗尔迪 | 申请（专利权）人： | 鲜猿股份公司 |
| 主分类号： | H01L31/0445 | 分类号： | H01L31/0445;H01L31/0224;H01L31/18;H01L29/786;H01L33/36;H10K50/805;H10K71/00 |
| 代理公司： | 深圳市百瑞专利商标事务所(普通合伙) 44240 | 代理人： | 金辉 |
| 地址： | 瑞士维拉*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种电子设备，优选为薄膜电子器设备，以及一种用于制造所述设备的方法。设备包括中间结构(301、401、501)，所述中间结构(301、401、501)在串联连接的相邻的单元设备之间的接口处。中间结构适合采用沉积技术，从而可以避免在设备的相邻的层之间划线或图案化绝缘和/或分隔线的步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 多层 电子设备 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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