[发明专利]多层电子设备及其制造方法在审
| 申请号: | 202180041341.1 | 申请日: | 2021-06-21 |
| 公开(公告)号: | CN115803895A | 公开(公告)日: | 2023-03-14 |
| 发明(设计)人: | D·乌鲁切克;陈同来;刘宇航;V·C·S·罗尔迪 | 申请(专利权)人: | 鲜猿股份公司 |
| 主分类号: | H01L31/0445 | 分类号: | H01L31/0445;H01L31/0224;H01L31/18;H01L29/786;H01L33/36;H10K50/805;H10K71/00 |
| 代理公司: | 深圳市百瑞专利商标事务所(普通合伙) 44240 | 代理人: | 金辉 |
| 地址: | 瑞士维拉*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 多层 电子设备 及其 制造 方法 | ||
1.一种多层的电子设备(1),其包括多个单元电子设备(11、12),所述单元设备串联连接,其中,所述多个单元电子设备至少包括第一单元设备(11)和第二单元设备(12),多层的电子设备(1)包括:
-基板或非导电基底层(101),
-两个相对的导电层(201、202;205、206),其包括下部的导电层(201、202)和上部的导电层(205、206),
-至少一个电子层(203、204),其包括具有半导体、光伏、光电和/或电致发光特性的材料,所述电子层设置在所述上部和下部的导电层(202、206)之间,
-中间结构(301、401、501),其包括导电、半导体或绝缘材料,中间结构(301、401、501)设置在两个相邻的单元电子设备(11、12)之间,其中,所述中间结构(301、401、501)与所述两个相对的导电层(201、202;205、206)中的至少一个直接接触,并且其中,所述中间结构(301、401、501)物理上分离相邻的单元设备(2、3)的电子层(203、204)的至少一部分。
2.根据权利要求1所述的电子设备(1),其中,所述中间结构(301、401、501)由单个和/或连续的且优选为均质的材料形成,所述材料优选以单个沉积步骤沉积,并且优选具有连续的电子特性。
3.根据权利要求1或2所述的电子设备,其中,每个单元设备包括仅一个中间结构(301、401、501),所述仅一个中间结构在相邻的单元设备(11、12)之间纵向延伸和/或在所述基板(101)的所述表面上或在所述下部的导电层(201、202)上提供突出部分。
4.根据前述权利要求中任一项所述的电子设备(1),其中,所述中间结构(301、401、501)设置在所述基板(101)上或与基板(101)接触。
5.根据前述权利要求中任一项所述的电子设备(1),其中,所述中间结构与所述基板(101)和所述下部的导电层(202)两者都接触。
6.根据前述权利要求中任一项所述的电子设备(1),其中,在所述中间结构(501)上或其处,所述第一设备(11)的上部的导电层(205)与所述第二设备(12)的下部的导电层(202)连接。
7.根据前述权利要求中任一项所述的电子设备(1),其中,所述第一设备(11)的上部的导电层(205)与所述第二设备(12)的下部的导电层(202)在所述中间结构(501)上或其处重叠,从而电连接所述第一和第二设备(11、12)。
8.根据权利要求1至3和5至7中任一项所述的电子设备(1),其中,当在横截面中观察时,所述中间结构是对称的,其优选地基本上是矩形的,并且其设置为与所述下部的导电层(202)直接接触,并且基本上是非导电的,优选地由非导电材料组成。
9.根据前述权利要求中任一项所述的电子设备(1),其中,当在横截面中观察时,所述中间结构是不对称的,其优选地呈现平行四边形的轮廓。
10.根据前述权利要求中任一项所述的电子设备(1),其中,所述中间结构(301、401、501)在所述基板(101)或所述下部的导电层(201、202)的表面的上方延伸和/或从所述基板(101)或所述下部的导电层(201、202)的表面延伸,从而在所述表面或所述下部的导电层(201、202)上提供突出部分。
11.根据前述权利要求中任一项所述的电子设备(1),其中,所述中间结构(301、401、501)在相邻的单元设备(11、12)之间纵向延伸。
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