[发明专利]在批次热处理腔室中的晶片边缘温度校正在审
| 申请号： | 202180032252.0 | 申请日： | 2021-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN115485822A | 公开（公告）日： | 2022-12-16 |
| 发明（设计）人： | 卡蒂克·布彭德拉·仙;舒伯特·S·楚;阿德尔·乔治·塔诺;阿拉·莫拉迪亚;尼欧·O·谬;苏拉吉特·库马尔;朱作明;布赖恩·海斯·伯罗斯;维希瓦·库马尔·帕迪;刘树坤;斯里尼瓦萨·兰加帕 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/687;H05B3/00 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种用于处理腔室中的处理套组，该处理套组包括：外衬套；内衬套，被配置为与处理腔室的气体注入组件及气体排放组件流体连通；第一环形反射器，设置在该外衬套与该内衬套之间；顶板及底板，附接于该内衬套的内表面，该顶板及底板与内衬套一起形成外壳；盒匣，设置在外壳之内，该盒匣包含被配置为在其上保持多个基板的多个搁架；及边缘温度校正元件，设置在该内衬套与第一环形反射器之间。 | ||
| 搜索关键词： | 批次 热处理 中的 晶片 边缘 温度 校正 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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