[发明专利]在批次热处理腔室中的晶片边缘温度校正在审
| 申请号: | 202180032252.0 | 申请日: | 2021-07-16 |
| 公开(公告)号: | CN115485822A | 公开(公告)日: | 2022-12-16 |
| 发明(设计)人: | 卡蒂克·布彭德拉·仙;舒伯特·S·楚;阿德尔·乔治·塔诺;阿拉·莫拉迪亚;尼欧·O·谬;苏拉吉特·库马尔;朱作明;布赖恩·海斯·伯罗斯;维希瓦·库马尔·帕迪;刘树坤;斯里尼瓦萨·兰加帕 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/687;H05B3/00 |
| 代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;赵静 |
| 地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 批次 热处理 中的 晶片 边缘 温度 校正 | ||
1.一种用于处理腔室中的处理套组,所述处理套组包含:
内衬套,具有:
多个第一入口孔,所述多个第一入口孔设置在所述内衬套的注入侧上并且被配置为与处理腔室的气体注入组件流体连通;以及
多个第一出口孔,设置在所述内衬套的排气侧上并且被配置为与所述处理腔室的气体排放组件流体连通;
顶板及底板,附接于所述内衬套的内表面,所述顶板及所述底板与所述内衬套一起形成外壳;
盒匣,设置在所述外壳之内,所述盒匣包含被配置为在其上保持多个基板的多个搁架;
第一环形反射器,设置在所述内衬套外侧;及
边缘温度校正元件,设置在所述内衬套与所述第一环形反射器之间。
2.如权利要求1所述的处理套组,进一步包含:
外衬套,在所述第一环形反射器外侧,其中
所述外衬套包含选自不透明石英和碳化硅(SiC)涂布的石墨的材料。
3.如权利要求1所述的处理套组,其中
所述内衬套包含选自透明石英和碳化硅(SiC)涂布的石墨的材料,且
所述顶板及所述底板包含选自透明石英、不透明石英、碳化硅(SiC)涂布的石墨的材料。
4.如权利要求1所述的处理套组,其中
所述第一环形反射器包含选自不透明石英或碳化硅(SiC)涂布的石墨的材料,且
所述多个搁架包含碳化硅(SiC)涂布的石墨。
5.如权利要求1所述的处理套组,其中所述边缘温度校正元件包含围绕所述内衬套的两个石墨加热器。
6.如权利要求1所述的处理套组,其中所述边缘温度校正元件包含在所述内衬套与所述第一环形反射器之间的灯。
7.如权利要求1所述的处理套组,其中所述边缘温度校正元件包含环绕所述内衬套的环形灯。
8.如权利要求1所述的处理套组,其中
所述边缘温度校正元件包含围绕所述内衬套的第二环形反射器,且
所述第二环形反射器包含选自不透明石英或碳化硅(SiC)涂布的石墨的材料。
9.一种处理腔室,包含:
壳体结构,具有第一侧壁及在第一方向上与所述第一侧壁相对的第二侧壁;
气体注入组件,耦接至所述第一侧壁;
气体排放组件,耦接至所述第二侧壁;
石英腔室,设置于所述壳体结构之内;
处理套组,设置在所述石英腔室之内,所述处理套组包含具有多个搁架的盒匣,所述多个搁架被配置为在其上保持多个基板;
多个上部灯模块,设置于所述石英腔室的第一侧上并且被配置为提供辐射热至所述多个基板;
多个下部灯模块,设置于在垂直于所述第一方向的第二方向上与所述第一侧相对的所述石英腔室的第二侧上,并且被配置为提供辐射热至所述多个基板;以及
升降旋转机构,被配置为在所述第二方向上移动所述盒匣并且围绕所述第二方向旋转所述盒匣,
其中所述处理套组进一步包含:
内衬套,具有:
多个第一入口孔,设置在所述内衬套的注入侧上并且被配置为与所述气体注入组件流体连通;以及
多个第一出口孔,设置在所述内衬套的排气侧上并且被配置为与所述气体排放组件流体连通;
顶板及底板,附接于所述内衬套的内表面,所述顶板及所述底板与所述内衬套一起形成外壳,所述盒匣设置在所述外壳之内;
第一环形反射器,设置在所述内衬套外侧;及
边缘温度校正元件,设置在所述内衬套与所述第一环形反射器之间。
10.如权利要求9所述的处理腔室,其中
所述处理套组进一步包含外衬套,且
所述外衬套包含选自不透明石英和碳化硅(SiC)涂布的石墨的材料。
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