[发明专利]在硅衬底上生长通过结晶光学膜氢化而在红外光谱中可选地具有极小光损耗的结晶光学膜的方法在审
| 申请号： | 202180032232.3 | 申请日： | 2021-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN115485422A | 公开（公告）日： | 2022-12-16 |
| 发明（设计）人： | 孙庆儿;文贞顺;徐华昌;理查德·M·克雷默;瑞安·G·夸福斯;杰克·A·克罗韦尔;马里亚诺·J·塔波达;约书亚·M·多里亚;特里·B·威尔奇 | 申请（专利权）人： | HRL实验室有限责任公司 |
| 主分类号： | C30B25/06 | 分类号： | C30B25/06;C30B25/18;C30B29/30;C30B33/02 |
| 代理公司： | 北京鸿德海业知识产权代理有限公司 11412 | 代理人： | 于未茗 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种能够在硅和其他衬底上生长厚化学计量结晶且优选地IR透明光学PCMO材料的工艺。在无氧惰性气体(例如，Ar)环境中进行溅射沉积，这有助于防止衬底上的PCMO材料分解。在所公开的工艺中，不需要在PCMO沉积之前增加籽晶层。此外，不需要在高温高压氧气炉中进行沉积后退火，但是退火提供了在提高红外波长下透明度方面的某些额外益处。在高温(≤450℃)衬底上PCMO厚膜的较长沉积时间内，通过以高温沉积PCMO材料并在每次沉积循环之后将PCMO沉积衬底冷却到显著更低的温度(＜450℃)的重复循环来进行PCMO沉积。如果在氢气环境中进行退火，这将使得PCMO膜氢化，从而产生在整个IR范围内具有极少光学损耗(即，光学消光系数k＜0.001)的PCMO膜。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 生长 通过 结晶 光学 氢化 红外 光谱 可选 具有 极小 损耗 方法 | ||
【主权项】：
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