[发明专利]半导体装置在审

专利信息
申请号: 202180029048.3 申请日: 2021-04-06
公开(公告)号: CN115443505A 公开(公告)日: 2022-12-06
发明(设计)人: 广濑丈也;米田诚一;池田隆之;山崎舜平 申请(专利权)人: 株式会社半导体能源研究所
主分类号: G11C11/405 分类号: G11C11/405;H01L21/8242;H01L27/108;H01L29/786
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 何欣亭;陈岚
地址: 日本神奈*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 提供一种能够保持模拟数据的半导体装置,该半导体装置使用四个晶体管及两个电容器构成两个保持电路、两个自举电路以及一个源极跟随电路。两个保持电路分别设置有存储节点,一个存储节点被写入数据电位且另一个存储节点被写入参考电位。在读出数据时,一个自举电路中一个存储节点的电位被升压,另一个自举电路中另一个存储节点的电位被升压。使用源极跟随电路输出两个存储节点间的电位差。通过使用源极跟随电路,可以降低输出阻抗。
搜索关键词: 半导体 装置
【主权项】:
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