[发明专利]大气压远程等离子体CVD装置、覆盖膜形成方法及塑料瓶制造方法在审
申请号: | 202180021746.9 | 申请日: | 2021-03-23 |
公开(公告)号: | CN115298353A | 公开(公告)日: | 2022-11-04 |
发明(设计)人: | 西山优范;赤沼泰彦;铃木哲也;白仓昌;田中卓己;三家本琴乃 | 申请(专利权)人: | 三得利控股株式会社 |
主分类号: | C23C16/511 | 分类号: | C23C16/511;H05H1/24 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 洪俊梅;张淑珍 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供一种等离子体CVD装置及覆盖膜形成方法,在包括塑料瓶等具有立体形状的基材的各种基材的表面上,能够在大气压下形成覆盖膜。一个实施方式的大气压远程等离子体CVD装置具备:具有气体入口、内部空间和等离子体出口的电介体腔室;及在内部空间内产生等离子体的等离子体产生装置。等离子体出口具备喷嘴,该喷嘴具有比内部空间的正交于气体流动方向的截面的平均截面面积更小的开口面积。 | ||
搜索关键词: | 大气压 远程 等离子体 cvd 装置 覆盖 形成 方法 塑料瓶 制造 | ||
【主权项】:
暂无信息
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的