[发明专利]用于图案化辐射光致抗蚀剂图案化的集成干燥工艺在审
| 申请号： | 202180009838.5 | 申请日： | 2021-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN115004110A | 公开（公告）日： | 2022-09-02 |
| 发明（设计）人： | 游正义;萨曼塔·S·H·坦;穆罕默德·哈隆·阿尔维;理查德·怀斯;潘阳;理查德·A·戈奇奥;阿德里安·拉沃伊;希瓦南达·克里希南·卡纳卡萨巴保蒂;蒂莫西·威廉·威德曼;林庆煌;杰罗姆·胡巴塞克 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | G03F7/16 | 分类号： | G03F7/16;G03F7/38;G03F7/36;G03F7/004;G03F7/20;G03F7/11;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 李献忠;张华 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在半导体衬底上制作薄膜的方法，该薄膜可以使用EUV进行图案化，该方法包括：将有机金属聚合物类材料沉积到半导体衬底的表面上，将表面暴露于EUV以形成图案，并显影图案以随后转移到下伏层。沉积操作可以通过化学气相沉积(CVD)、原子层沉积(ALD)和具有CVD成分的ALD来执行，具有CVD成分的ALD例如在任一时间或空间分离金属前体和逆反应物的不连续的、类似ALD的工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 图案 辐射 光致抗蚀剂 集成 干燥 工艺 | ||
【主权项】：
暂无信息
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