[发明专利]切晶粘晶膜及其制造方法、以及半导体封装及其制造方法在审
| 申请号： | 202180009176.1 | 申请日： | 2021-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN115413363A | 公开（公告）日： | 2022-11-29 |
| 发明（设计）人： | 森田稔;大谷洋多;丸山弘光 | 申请（专利权）人： | 古河电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/301 | 分类号： | H01L21/301;C09J11/04;C09J11/06;C09J11/08;C09J163/00;H01L21/52;C09J7/30 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 王博;庞东成 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种切晶粘晶膜，其为具有切晶膜和层积于该切晶膜上的粘晶膜的切晶粘晶膜，其中，上述粘晶膜包含沸点为100℃以上且小于150℃并且蒸气压为50mmHg以下的有机溶剂，上述粘晶膜中的有机溶剂量满足下述(a)。(a)将1.0g粘晶膜在4℃下浸渍于丙酮10.0mL中24小时，此时被提取到该丙酮中的有机溶剂浓度为800μg以下。 | ||
| 搜索关键词： | 切晶粘晶膜 及其 制造 方法 以及 半导体 封装 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
