[发明专利]包括背侧沟槽支撑结构的三维存储器设备及其形成方法

摘要

一种三维存储器设备，该三维存储器设备包括位于衬底上方并且通过背侧沟槽而彼此横向间隔开的层堆叠。所述层堆叠中的每个层堆叠包括绝缘层和导电层的相应的交替堆叠。存储器开口竖直延伸穿过交替堆叠中的相应交替堆叠，并且填充有相应的存储器开口填充结构。所述存储器开口填充结构中的每个存储器开口填充结构包括相应的竖直半导体沟道和相应的竖直存储器元件堆叠。每个背侧沟槽填充结构包括相应行背侧沟槽桥结构，所述相应行背侧沟槽桥结构距所述衬底的距离比所述导电层中的最远侧导电层距所述衬底的距离更远。背侧沟槽桥结构可以在形成导电层的替换工艺期间提供结构支撑。