[发明专利]紫外发光二极管及发光装置有效
| 申请号： | 202180005045.6 | 申请日： | 2021-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN114391185B | 公开（公告）日： | 2023-08-11 |
| 发明（设计）人： | 江宾;龙思怡;臧雅姝;彭康伟;曾炜竣;陈思河;曾明俊 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/40 | 分类号： | H01L33/40;H01L33/46;H01L33/38 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361009 福建省厦*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明提供一种紫外发光二极管及发光装置，包括：半导体层序列，包含具备第一导电性的第一半导体层，具备与第一导电性不同的第二导电性的第二半导体层，及有源层，其介于所述第一半导体层与所述第二半导体层之间，并通过电子和空穴的复合而生成光；欧姆接触层，形成于所述第二半导体层上，并与所述第二半导体层形成欧姆接触，厚度为30nm以下；金属电流扩展层，形成于所述欧姆接触层上，通过所述欧姆接触层与所述第二半导体层形成电性连接；反射层，形成于所述电流扩展层上，并覆盖裸露出的第二半导体层表面。本发明所述发光二极管可以有效提效发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 紫外 发光二极管 发光 装置 | ||
【主权项】：
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