[发明专利]紫外发光二极管及发光装置

说明书

本发明提供一种紫外发光二极管及发光装置，包括：半导体层序列，包含具备第一导电性的第一半导体层，具备与第一导电性不同的第二导电性的第二半导体层，及有源层，其介于所述第一半导体层与所述第二半导体层之间，并通过电子和空穴的复合而生成光；欧姆接触层，形成于所述第二半导体层上，并与所述第二半导体层形成欧姆接触，厚度为30nm以下；金属电流扩展层，形成于所述欧姆接触层上，通过所述欧姆接触层与所述第二半导体层形成电性连接；反射层，形成于所述电流扩展层上，并覆盖裸露出的第二半导体层表面。本发明所述发光二极管可以有效提效发光效率。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种紫外发光二极管及发光装置。

背景技术

近年来，紫外光LED特别是深紫外光LED的巨大的应用价值引起了人们的高度关，成为了新的研究热点。为使通入LED元件的电流均匀注入发光层，现有的紫外LED芯片通常在p型半导体层的表面形成一透明导电氧化物层(例如ITO、IZO等)等作为电流扩展层，用于使电流扩展至发光面内。然而在紫外光波长，特别是深紫外波段，ITO的吸光效应严重，图7显示了不同厚度的ITO对应波长的吸收率，可以看到现有常用的110nm的ITO层，当波长在280nm以下，其吸收率达到约80％以上，因此该结构较难有效提升紫外发光二极管的亮度。

发明内容

本发明的目的之一在于：提供一种紫外发光二极管，其可以有效提升紫外发光二极管的亮度。

本发明所述的一种紫外发光二极管，包括：半导体层序列，包含具备第一导电性的第一半导体层，具备与第一导电性不同的第二导电性的第二半导体层，及有源层，其介于所述第一半导体层与所述第二半导体层之间，并通过电子和空穴的复合而生成光；欧姆接触层，形成于所述第二半导体层上，并与所述第二半导体层形成欧姆接触，厚度为30nm以下；金属电流扩展层，形成于所述欧姆接触层上，通过所述欧姆接触层与所述第二半导体层形成电性连接；反射层，形成于所述电流扩展层上，并覆盖裸露出的第二半导体层表面。

本发明所述的紫外发光二极管，欧姆接触层采用厚度30nm以下的薄膜结构用于与第二半导体层形成欧姆接触，减少了欧姆接触层对有源层发射的吸收，并在欧姆接触层上形成高反射层，从而提升发光二极管的出光效率。

在一些实施例中，同时采用具有高反射率的金属电流扩展层作为电流扩展层，兼顾了电流的扩展及反射，并将绝缘层设置为高反射结构，如此未被金属电流扩展层覆盖的区域可以通过绝缘层进行反射，有效提升发光二极管的发光效率。

在一些实施例中，所述发光二极管结构进一步采用密集的点状结构作为金属电流扩展层，并配合高反射的绝缘层，进一步提高发光二极管的发光效率。

在一些实施例中，所述发光二极管结构采用密集的点状金属块，并在第二欧姆接触层、点状金属块的表面上覆盖透明粘附层，在该透明粘附层上形成金属反射层，一方面将点状金属块连接成面起到扩展作用的作用，另一方面与透明粘附层形成全方位反射镜。点状的金属块结构一方面可以预留足够的反射层反射面积，有效提升了反射率,另一方面点状金属块与欧姆接触层可以形成良好的欧姆接触，解决了金属反射层与欧姆接触层之间接触电阻大的问题。

本发明的其它特征和有益效果将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他有益效果可通过在说明书、权利要求书等内容中所特别指出的结构来实现和获得。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图；在下面描述中附图所述的位置关系，若无特别指明，皆是图示中组件绘示的方向为基准。

图1是本发明第一实施例提供的紫外发光二极管俯视图。