[发明专利]三维存储器装置及其形成方法在审
申请号: | 202180002463.X | 申请日: | 2021-06-30 |
公开(公告)号: | CN116018889A | 公开(公告)日: | 2023-04-25 |
发明(设计)人: | 张坤;杨远程;周文犀;刘威;夏志良;陈亮;王言虹 | 申请(专利权)人: | 长江存储科技有限责任公司 |
主分类号: | H10B41/35 | 分类号: | H10B41/35 |
代理公司: | 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 | 代理人: | 林锦辉;刘景峰 |
地址: | 430074 湖北省武*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 在某些方面,一种三维(3D)存储器装置包括第一半导体结构、第二半导体结构以及第一半导体结构和第二半导体结构之间的键合界面。第一半导体结构包括第一半导体层、NAND存储器串阵列、以及NAND存储器串阵列的第一外围电路。NAND存储器串阵列的源极与第一半导体层的第一侧接触。第一外围电路包括与第一半导体层的与第一侧相对的第二侧接触的第一晶体管。第二半导体结构包括第二半导体层和NAND存储器串阵列的第二外围电路。第二外围电路包括与第二半导体层接触的第二晶体管。 | ||
搜索关键词: | 三维 存储器 装置 及其 形成 方法 | ||
【主权项】:
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