[实用新型]面板蚀刻设备有效
| 申请号： | 202123137021.2 | 申请日： | 2021-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN216435854U | 公开（公告）日： | 2022-05-03 |
| 发明（设计）人： | 黎志恒 | 申请（专利权）人： | 乐金显示光电科技（中国）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01J37/32;B08B7/00 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 黄建祥 |
| 地址： | 510530 广东省广州市*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开一种面板蚀刻设备，包括激光清洁机构和真空的反应室，反应室内间隔设置有上部电极板和下部电极板，上部电极板设置在反应室的顶部，下部电极板设置在反应室的底部，激光清洁机构包括壳体，壳体上设置有第一开口，反应室的侧壁设置有第二开口，第一开口和第二开口密封对接，使壳体和反应室连通，壳体内设置有激光清洁头，激光清洁头的射线方向朝向反应室，上部电极板的下方活动设置有收集板，收集板用于收集上部电极板掉落的杂质。通过设置激光清洁机构，可以在真空状态下对反应室内的杂质进行清除，在激光射线的作用下，上部电极板的杂质可以掉落在收集板上，由收集板进行统一收集。 | ||
| 搜索关键词： | 面板 蚀刻 设备 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
