[实用新型]一种同步整流MOS管压降内阻检测电路有效
| 申请号： | 202123121095.7 | 申请日： | 2021-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN216526041U | 公开（公告）日： | 2022-05-13 |
| 发明（设计）人： | 庞继浩;杨昌盛;高传坤;高琼瑶;王克成 | 申请（专利权）人： | 东科半导体（安徽）股份有限公司 |
| 主分类号： | G01R27/02 | 分类号： | G01R27/02;G01R31/26 |
| 代理公司： | 成都三诚知识产权代理事务所(普通合伙) 51251 | 代理人： | 饶振浪 |
| 地址： | 243000 安徽省马鞍山市经济技术开发*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种同步整流MOS管压降内阻检测电路，用于检测反激电路次级端的MOS管Q2的内阻，其特征在于，包括运放IC1A，一端与运放IC1A的3引脚连接、另一端与MOS管Q2的漏极连接的电阻R2，一端与运放IC1A的2引脚连接、另一端与MOS管Q2的源极连接的电阻R3；所述运放IC1A的8引脚接电源，其1引脚形成检测点C，其4引脚与MOS管Q2的源极相连接的同时形成检测点A。本实用新型可以直接测试到同步整流MOS在电源上使用时的实际内阻大小，缩短了同步MOS管的测试验证时间，更加方便生产者对电源次级同步MOS的优化筛选。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 同步 整流 mos 管压降 内阻 检测 电路 | ||
【主权项】：
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