[实用新型]一种同步整流MOS管压降内阻检测电路

权利要求书

1.一种同步整流MOS管压降内阻检测电路，用于检测反激电路次级端的MOS管Q2的内阻，其特征在于，包括运放IC1A，一端与运放IC1A的3引脚连接、另一端与MOS管Q2的漏极连接的电阻R2，一端与运放IC1A的2引脚连接、另一端与MOS管Q2的源极连接的电阻R3，以及串接在运放IC1A的2引脚和1引脚之间的电阻R1；所述运放IC1A的8引脚接电源，其1引脚形成检测点C，其4引脚与MOS管Q2的源极相连接的同时形成检测点A。

2.根据权利要求1所述的一种同步整流MOS管压降内阻检测电路，其特征在于，还包括极性电容CE1；所述极性电容CE1的正极与运放IC1A的8引脚连接、其负极与运放IC1A的4引脚连接。

3.根据权利要求2所述的一种同步整流MOS管压降内阻检测电路，其特征在于，还包括有保护电路；所述保护电路包括三极管Q1，一端与三极管Q1的基极连接、另一端与MOS管Q2的漏极连接的电阻R4；所述三极管Q1的集电极与运放IC1A的3引脚连接、其发射极则与MOS管Q2的源极相连接。