[实用新型]一种同步整流MOS管压降内阻检测电路有效

专利信息
申请号: 202123121095.7 申请日: 2021-12-08
公开(公告)号: CN216526041U 公开(公告)日: 2022-05-13
发明(设计)人: 庞继浩;杨昌盛;高传坤;高琼瑶;王克成 申请(专利权)人: 东科半导体(安徽)股份有限公司
主分类号: G01R27/02 分类号: G01R27/02;G01R31/26
代理公司: 成都三诚知识产权代理事务所(普通合伙) 51251 代理人: 饶振浪
地址: 243000 安徽省马鞍山市经济技术开发*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 一种 同步 整流 mos 管压降 内阻 检测 电路
【权利要求书】:

1.一种同步整流MOS管压降内阻检测电路,用于检测反激电路次级端的MOS管Q2的内阻,其特征在于,包括运放IC1A,一端与运放IC1A的3引脚连接、另一端与MOS管Q2的漏极连接的电阻R2,一端与运放IC1A的2引脚连接、另一端与MOS管Q2的源极连接的电阻R3,以及串接在运放IC1A的2引脚和1引脚之间的电阻R1;所述运放IC1A的8引脚接电源,其1引脚形成检测点C,其4引脚与MOS管Q2的源极相连接的同时形成检测点A。

2.根据权利要求1所述的一种同步整流MOS管压降内阻检测电路,其特征在于,还包括极性电容CE1;所述极性电容CE1的正极与运放IC1A的8引脚连接、其负极与运放IC1A的4引脚连接。

3.根据权利要求2所述的一种同步整流MOS管压降内阻检测电路,其特征在于,还包括有保护电路;所述保护电路包括三极管Q1,一端与三极管Q1的基极连接、另一端与MOS管Q2的漏极连接的电阻R4;所述三极管Q1的集电极与运放IC1A的3引脚连接、其发射极则与MOS管Q2的源极相连接。

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