[实用新型]一种Si基GaN HEMT的空气桥场板结构有效
| 申请号： | 202123011562.0 | 申请日： | 2021-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN216488069U | 公开（公告）日： | 2022-05-10 |
| 发明（设计）人： | 施宁萍;周炳;翁加付;毛建达 | 申请（专利权）人： | 宁波海特创电控有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/40 | 分类号： | H01L29/40;H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 宁波浙成知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 33268 | 代理人： | 陈敏垚 |
| 地址： | 315500 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本实用新型公开的一种Si基GaNHEMT的空气桥场板结构，包括Si衬底、GaN缓冲层、AlGaN势垒层、源极、漏极、栅极、SiN钝化层以及空气桥场板，Si衬底、GaN缓冲层、AlGaN势垒层以及SiN钝化层由下至上依次层叠设置，源极的底部穿过SiN钝化层与AlGaN势垒层后与GaN缓冲层的第一端相接触，漏极的底部穿过SiN钝化层与AlGaN势垒层后与GaN缓冲层的第二端相接触，源极、漏极以及GaN缓冲层形成欧姆接触，栅极被SiN钝化层覆盖，并设置在源极与漏极之间的AlGaN势垒层上，栅极与AlGaN势垒层形成肖特基接触，空气桥场板的第一端设置在源极上，空气桥场板的第二端绕过栅极设置在SiN钝化层上。在不改变SiN钝化层的厚度来达到优化空气桥场板对表面电场的调制，提高耐压的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 si gan hemt 空气 板结 | ||
【主权项】：
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