[实用新型]一种Si基GaN HEMT的空气桥场板结构有效
| 申请号： | 202123011562.0 | 申请日： | 2021-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN216488069U | 公开（公告）日： | 2022-05-10 |
| 发明（设计）人： | 施宁萍;周炳;翁加付;毛建达 | 申请（专利权）人： | 宁波海特创电控有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/40 | 分类号： | H01L29/40;H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 宁波浙成知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 33268 | 代理人： | 陈敏垚 |
| 地址： | 315500 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 si gan hemt 空气 板结 | ||
1.一种Si基GaN HEMT的空气桥场板结构，其特征在于：包括Si衬底(1)、GaN缓冲层(2)、AlGaN势垒层(3)、源极(4)、漏极(5)、栅极(6)、SiN钝化层(7)以及空气桥场板(8)，所述Si衬底(1)、GaN缓冲层(2)、AlGaN势垒层(3)以及SiN钝化层(7)由下至上依次层叠设置，所述源极(4)的底部穿过SiN钝化层(7)与AlGaN势垒层(3)后与GaN缓冲层(2)的第一端相接触，所述漏极(5)的底部穿过SiN钝化层(7)与AlGaN势垒层(3)后与GaN缓冲层(2)的第二端相接触，所述源极(4)、漏极(5)以及GaN缓冲层(2)形成欧姆接触，所述栅极(6)被SiN钝化层(7)覆盖，并设置在源极(4)与漏极(5)之间的AlGaN势垒层(3)上，所述栅极(6)与AlGaN势垒层(3)形成肖特基接触，所述空气桥场板(8)的第一端设置在源极(4)上，所述空气桥场板(8)的第二端绕过栅极(6)设置在SiN钝化层(7)上。
2.根据权利要求1所述的一种Si基GaN HEMT的空气桥场板结构，其特征在于：所述Si衬底(1)的厚度为500nm。
3.根据权利要求1所述的一种Si基GaN HEMT的空气桥场板结构，其特征在于：所述GaN缓冲层(2)与AlGaN势垒层(3)均通过金属有机化学气相沉积法(MOCVD)制作而成，所述GaN缓冲层(2)的厚度为2μm，所述AlGaN势垒层(3)的厚度为20nm。
4.根据权利要求1所述的一种Si基GaN HEMT的空气桥场板结构，其特征在于：所述源极(4)与漏极(5)采用的金属材料均为Ti/Al/Ni/Au，金属厚度为20/130/50/150nm，所述栅极(6)采用的金属材料为Ni/Au，金属厚度为50/150nm。
5.根据权利要求1所述的一种Si基GaN HEMT的空气桥场板结构，其特征在于：所述栅极(6)与源极(4)之间的间距为10-15μm，所述栅极(6)与漏极(5)之间的间距为20-30μm。
6.根据权利要求1所述的一种Si基GaN HEMT的空气桥场板结构，其特征在于：所述SiN钝化层(7)与AlGaN势垒层(3)采用低压化学气相沉积法(LP-CVD)沉积而成，所述SiN钝化层(7)的厚度为150nm。
7.根据权利要求1所述的一种Si基GaN HEMT的空气桥场板结构，其特征在于：所述空气桥场板(8)采用金属材料为Au制作成n字形结构。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于宁波海特创电控有限公司，未经宁波海特创电控有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202123011562.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种有机垃圾资源化处理设备
- 下一篇：一种可自动散热的功率半导体器件
- 同类专利
- 专利分类
