[实用新型]一种MOS管的封装结构有效
申请号: | 202122395805.9 | 申请日: | 2021-09-30 |
公开(公告)号: | CN215647577U | 公开(公告)日: | 2022-01-25 |
发明(设计)人: | 杨伟东 | 申请(专利权)人: | 禾纳半导体(深圳)有限公司 |
主分类号: | H05K1/02 | 分类号: | H05K1/02;H01L23/367;H01L23/373 |
代理公司: | 重庆百润洪知识产权代理有限公司 50219 | 代理人: | 刘泽正 |
地址: | 518100 广东省深圳市南山区粤海街道高新区*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本实用新型涉及一种MOS管的封装结构,包括底板、PCB板、MOS管、顶板和密封框体,PCB板设置在底板上,PCB板上设有镂空孔,镂空孔的边缘设有多个焊盘,MOS管的主体设置在镂空孔内,镂空孔内填充导热胶固定MOS管的主体,MOS管的管脚与焊盘焊接固定;通过镂空结构,将MOS管倒置设置在镂空孔内,利用将MOS管引脚与镂空孔边缘的焊盘焊接固定,可以将整体厚度做到更薄;同时利用与PCB板贴合的底板进行散热,MOS管产生的热量通过导热胶传递至PCB板上,PCB板与底板的接触面积较大,因此PCB板上聚集的热量可以高效地传递至底板上,通过外部的散热设备进行热交换,避免热量聚集在PCB上。 | ||
搜索关键词: | 一种 mos 封装 结构 | ||
【主权项】:
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