[实用新型]一种MOS管的封装结构有效

专利信息
申请号: 202122395805.9 申请日: 2021-09-30
公开(公告)号: CN215647577U 公开(公告)日: 2022-01-25
发明(设计)人: 杨伟东 申请(专利权)人: 禾纳半导体(深圳)有限公司
主分类号: H05K1/02 分类号: H05K1/02;H01L23/367;H01L23/373
代理公司: 重庆百润洪知识产权代理有限公司 50219 代理人: 刘泽正
地址: 518100 广东省深圳市南山区粤海街道高新区*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 实用新型涉及一种MOS管的封装结构,包括底板、PCB板、MOS管、顶板和密封框体,PCB板设置在底板上,PCB板上设有镂空孔,镂空孔的边缘设有多个焊盘,MOS管的主体设置在镂空孔内,镂空孔内填充导热胶固定MOS管的主体,MOS管的管脚与焊盘焊接固定;通过镂空结构,将MOS管倒置设置在镂空孔内,利用将MOS管引脚与镂空孔边缘的焊盘焊接固定,可以将整体厚度做到更薄;同时利用与PCB板贴合的底板进行散热,MOS管产生的热量通过导热胶传递至PCB板上,PCB板与底板的接触面积较大,因此PCB板上聚集的热量可以高效地传递至底板上,通过外部的散热设备进行热交换,避免热量聚集在PCB上。
搜索关键词: 一种 mos 封装 结构
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于禾纳半导体(深圳)有限公司,未经禾纳半导体(深圳)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202122395805.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top