[实用新型]一种集成肖特基的屏蔽栅沟槽功率半导体结构有效
| 申请号： | 202122260919.2 | 申请日： | 2021-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN215896410U | 公开（公告）日： | 2022-02-22 |
| 发明（设计）人： | 朱袁正;叶鹏;杨卓;周锦程;刘晶晶 | 申请（专利权）人： | 无锡新洁能股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/423 |
| 代理公司： | 无锡市兴为专利代理事务所(特殊普通合伙) 32517 | 代理人： | 朱荣富 |
| 地址： | 214028 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种功率半导体结构，尤其是一种集成肖特基的屏蔽栅沟槽功率半导体结构，芯片表面设有六类沟槽，第一类沟槽互相平行且均匀分布，第二类沟槽环绕第一类沟槽设置，所述第五类沟槽位于所述第二类沟槽的内侧，将至少一对相邻的第一类沟槽替换为第五类沟槽，第六类沟槽设置于相邻的第五类沟槽之间，并且其两端分别与相邻的两条第五类沟槽互相垂直并连通，所述第六类沟槽之间互相平行，所述源极金属通过第四类通孔与第六类沟槽内的第二类导电多晶硅欧姆接触，所述相邻的第六类沟槽之间的外延层区域为肖特基接触区，所述源极金属通过第五类通孔与肖特基接触区内的外延层肖特基接触，能够加快反向恢复，降低能量损耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 集成 肖特基 屏蔽 沟槽 功率 半导体 结构 | ||
【主权项】：
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