[实用新型]一种用于DDR存储芯片测试的接口装置有效
| 申请号： | 202121701810.1 | 申请日： | 2021-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN215815201U | 公开（公告）日： | 2022-02-11 |
| 发明（设计）人： | 陈建光;陈宗廷;李斌 | 申请（专利权）人： | 深圳市宏旺微电子有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/56 | 分类号： | G11C29/56 |
| 代理公司： | 深圳市诺正鑫泽知识产权代理有限公司 44689 | 代理人： | 林国友 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种用于DDR存储芯片测试的接口装置，涉及DDR存储芯片测试技术领域，该接口装置包括双向电平转换模块，该双向电平转换模块用于响应于第一引脚上的第一电平在第二引脚上转换出对应的第二电平，或者，响应于第二引脚上的第二电平在第一引脚上转换出对应的第一电平。因此，能够将FMC的I/O传输接口输出电压转换为与DDR存储芯片I/O传输接口适配的电压，以及将DDR存储芯片I/O传输接口输出的电压转换为与FMC的I/O传输接口适配的电压，保证DDR存储芯片与FPGAA之间能够正确传输数据。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 ddr 存储 芯片 测试 接口 装置 | ||
【主权项】：
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