[实用新型]一种用于DDR存储芯片测试的接口装置

说明书

本实用新型公开了一种用于DDR存储芯片测试的接口装置，涉及DDR存储芯片测试技术领域，该接口装置包括双向电平转换模块，该双向电平转换模块用于响应于第一引脚上的第一电平在第二引脚上转换出对应的第二电平，或者，响应于第二引脚上的第二电平在第一引脚上转换出对应的第一电平。因此，能够将FMC的I/O传输接口输出电压转换为与DDR存储芯片I/O传输接口适配的电压，以及将DDR存储芯片I/O传输接口输出的电压转换为与FMC的I/O传输接口适配的电压，保证DDR存储芯片与FPGAA之间能够正确传输数据。

技术领域

本实用新型涉及DDR存储芯片测试技术领域，特别涉及一种用于DDR存储芯片测试的接口装置。

背景技术

相关技术中，测试平台采用FPGA(即现场可编程门阵列)连接待测芯片以达成测试DDR存储芯片(即DDR SDRAM，双倍速率同步动态随机存储器)的目的。以对LPDDR(即LPDDRSDRAM，低功耗双倍速率同步动态随机存储器)测试过程为例，简述如下：工程师利用FPGA内的PL(Progarmmable Logic，即可编程逻辑)生成可以对LPDDR控制的控制器模块，控制器模块通过开发板上FMC(即 FPGA Mezzanine Card，FPGA中间层板卡)的I/O传输接口将信号传入待测LPDDR，发出读写等指令，以达到对LPDDR的测试目的。

然而，发明人在搭建测试平台的过程中，发现FMC的I/O传输接口输出电压与LPDDR的I/O正常工作电压存在不匹配的问题，导致DDR存储芯片无法正确接收到数据。

实用新型内容

需要说明的是，发明人在搭建测试平台的过程中，发现了背景技术中问题存在的原因：现有技术中，FMC的I/O传输接口输出电压最低是1.8V，而LPDDR 的I/O正常工作电压为1.1V，二者不匹配导致DDR存储芯片无法正确接收到数据。

基于此，本实用新型的目的在于提供一种用于DDR存储芯片测试的接口装置，能够将FMC的I/O传输接口输出电压转换为与DDR存储芯片适配的电压，保证DDR存储芯片能够正确接收到数据。

为了实现上述目的，提供如下技术方案：

一种用于DDR存储芯片测试的接口装置，包括：

芯片测试座，包括多个导电部件，所述多个导电部件用于分别与待测试的 DDR存储芯片对应的引脚电连接；

双向电平转换模块，包括一组第一引脚和一组第二引脚，所述的一组第一引脚用于电连接所述导电部件，所述的一组第二引脚用于电连接FMC的I/O传输接口；

其中，所述双向电平转换模块用于响应于第一引脚上的第一电平在第二引脚上转换出对应的第二电平，或者，响应于第二引脚上的第二电平在第一引脚上转换出对应的第一电平。

作为进一步改进，所述接口装置还包括：

电源转换模块，包括输入端和输出端，所述输入端用于电连接FMC的供电接口，所述输出端用于电连接电平转换模块以向电平转换模块供电，以及用于电连接所述导电部件以向待测试的DDR存储芯片供电；

其中，所述电源转换模块用于将输入端上的第三电压降压处理为输出端上的第四电压。

作为进一步改进，所述电源转换模块为线性稳压器。

作为进一步改进，所述接口装置还包括：

指示模块，包括LED，所述LED的负极接地，正极电连接FMC的供电接口。

作为进一步改进，所述接口装置还包括：

I/O测试引脚，用于电连接FMC的I/O传输接口。

作为进一步改进，所述导电部件包括焊盘或卡槽。