[实用新型]一种P沟道Mosfet门极驱动电路有效
| 申请号： | 202121635686.3 | 申请日： | 2021-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN215420088U | 公开（公告）日： | 2022-01-04 |
| 发明（设计）人： | 龙友能;胡方圆;何思伟 | 申请（专利权）人： | 镇江转能电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H02M1/08 | 分类号： | H02M1/08 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 212000 江苏省镇*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种P沟道Mosfet门极驱动电路，包括电阻R1、三极管Q1、电阻R2、MOS管Q2和电阻RL，所述三极管Q1连接电阻R1和电阻R2，所述电阻R2另一端接电源负极，所述电源电压连接电阻R1和MOS管Q2，所述Q2为要驱动的P沟道Mosfet，所述MOS管Q2与三极管Q1和电阻R1电连接，所述MOS管Q2与电阻RL电相连，所述电阻RL为负载，本实用新型属于电子电路技术领域，具体是指一种P沟道Mosfet门极驱动电路，减小元器件使用种类和数量，降低成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沟道 mosfet 驱动 电路 | ||
【主权项】：
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H02 发电、变电或配电
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备；直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换；以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路，例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备，例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备；直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换；以及它们的控制或调节
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