[实用新型]一种金属电极及具有该金属电极的深紫外LED芯片有效
申请号: | 202121405710.4 | 申请日: | 2021-06-23 |
公开(公告)号: | CN215266344U | 公开(公告)日: | 2021-12-21 |
发明(设计)人: | 张晓娜;崔志勇;张向鹏;李勇强 | 申请(专利权)人: | 山西中科潞安紫外光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L33/40 | 分类号: | H01L33/40 |
代理公司: | 北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙) 11390 | 代理人: | 郝亮 |
地址: | 047500 山西*** | 国省代码: | 山西;14 |
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摘要: | 本实用新型涉及一种金属电极及具有该金属电极的深紫外LED芯片,所述金属电极包括粘附层(1)、反应层(2)、阻挡层(3)和保护层(4),所述反应层(2)为由Ti膜(2.1)和Al膜(2.2)交替布置的多层结构且所述反应层(2)中的所述Ti膜(2.1)和Al膜(2.2)的厚度比为1:10。其反应层为Ti与Al按照1:10的比例进行的多层设计,使退火阶段Ti与Al能充分反应,以形成功函数低的TiN与TiAl合金,从而降低比接触电阻率,同时能避免Al的内扩散形成禁带宽度高的AlN和Al的外扩散,优化金属电极表面形态,使金属电极表面形态光滑,增强芯片的光衰维持率,延长芯片寿命。 | ||
搜索关键词: | 一种 金属电极 具有 深紫 led 芯片 | ||
【主权项】:
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