[实用新型]一种窄边框TFT结构有效
申请号: | 202121237140.2 | 申请日: | 2021-06-03 |
公开(公告)号: | CN215496719U | 公开(公告)日: | 2022-01-11 |
发明(设计)人: | 郑聪秀;刘汉龙;刘振东 | 申请(专利权)人: | 福建华佳彩有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1368 |
代理公司: | 福州市博深专利事务所(普通合伙) 35214 | 代理人: | 唐燕玲 |
地址: | 351100 福*** | 国省代码: | 福建;35 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型公开了一种窄边框TFT结构,包括GIP电路布局区,GIP电路布局区包括Metal1层、Metal2层、接触孔和ITO;Metal2层位于Metal1层上方,且Metal2层的宽度小于Metal1层的宽度;接触孔挖设于Metal1层与Metal2层的投影在相邻的部分重叠与部分非重叠的区域上方,且接触孔的底部与Metal1层和Metal2层相接触;ITO覆盖在接触孔内上方及四周。本实用新型通过将传统减光罩设计中分别挖设在GIP电路布局区的Metal1层和Metal2层上方的两个接触孔设计为一个接触孔,并通过ITO将Metal1层和Metal2层桥接,减少了GIP电路布局区所占的空间,降低了生产成本的同时也兼容窄边框设计,提高了TFT‑LCD的产品竞争力。 | ||
搜索关键词: | 一种 边框 tft 结构 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于福建华佳彩有限公司,未经福建华佳彩有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202121237140.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种灌装机用自动夹桶机构
- 下一篇:上下料装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的