[实用新型]电化学刻蚀剥离GaN衬底的设备有效
| 申请号： | 202120643022.5 | 申请日： | 2021-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN214279927U | 公开（公告）日： | 2021-09-24 |
| 发明（设计）人： | 王骁;王建峰;张育民;徐科 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 王锋 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种电化学刻蚀剥离GaN衬底的设备，包括：电化学刻蚀装置，包括盛装电解液的反应槽、直流电源、工作电极、对电极以及欧姆接触电极，所述工作电极包括待处理的样品，所述样品包括GaN衬底和依次生长在GaN衬底上的牺牲层和外延结构层；真空装置，包括真空腔室，至少所述反应槽设置在所述真空腔室内，当发生刻蚀反应时，所述反应槽内的液面两侧能够产生压差，所述压差能够驱使所述反应槽内的气体快速逸出牺牲层。本实用新型提供的设备，结构简单，使用方便；实用新型实施例提供的一种电化学刻蚀剥离GaN衬底的设备，通过一步电化学完全刻蚀实现大尺寸GaN衬底的分离，提高了分离成品率，进而降低了GaN单晶衬底的使用成本。 | ||
| 搜索关键词： | 电化学 刻蚀 剥离 gan 衬底 设备 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
