[实用新型]电化学刻蚀剥离GaN衬底的设备

权利要求书

1.一种电化学刻蚀剥离GaN衬底的设备，其特征在于包括：

电化学刻蚀装置，包括盛装电解液的反应槽、直流电源、工作电极、对电极以及欧姆接触电极，其中，所述工作电极包括待处理的样品，所述样品包括GaN衬底和依次生长在GaN衬底上的牺牲层和外延结构层，所述欧姆接触电极还与所述牺牲层连接，并且，所述欧姆接触电极与直流电源的阳极电连接，所述对电极与直流电源的阴极电连接；

真空装置，包括真空腔室，至少所述反应槽、工作电极、对电极以及欧姆接触电极设置在所述真空腔室内，当发生刻蚀反应时，所述反应槽内的液面两侧能够产生压差，所述压差能够驱使所述反应槽内的气体快速逸出牺牲层。

2.根据权利要求1所述的设备，其特征在于：所述直流电源设置在所述真空腔室外部，所述直流电源经电连接线与所述欧姆接触电极、对电极电连接。

3.根据权利要求2所述的设备，其特征在于：所述真空腔室的腔壁上开设有连接孔，所述电连接线的局部穿设在所述连接孔内并与所述连接孔密封配合。

4.根据权利要求2所述的设备，其特征在于：所述真空腔室的外部还固定设置有波纹管，所述波纹管与所述真空腔相连通，且与真空装置密封连接，所述电连接线的一端穿过所述波纹管以及真空腔室的腔壁并设置在所述真空腔室内，其中，所述电连接线与所述波纹管密封连接。

5.根据权利要求4所述的设备，其特征在于：所述波纹管为可伸缩的构件。

6.根据权利要求1所述的设备，其特征在于：所述真空装置还包括真空发生机构，所述真空发生机构与所述真空腔室连接，并至少用于使所述真空腔室始终保持真空状态。

7.根据权利要求6所述的设备，其特征在于：所述真空发生机构包括真空泵。

8.根据权利要求1所述的设备，其特征在于：所述样品的GaN衬底上具有沿厚度方向贯穿所述GaN衬底的窗口，所述牺牲层的局部自所述窗口处露出，所述欧姆接触电极设置在所述窗口内并与所述牺牲层连接。

9.根据权利要求1所述的设备，其特征在于：所述样品包括GaN衬底和依次生长在GaN衬底上的多个牺牲层和多个外延结构层，所述多个牺牲层和多个外延结构层依次间隔交替设置，所述多个牺牲层分别与多个欧姆接触电极连接。

10.根据权利要求1或9所述的设备，其特征在于：所述外延结构层包括Fe-GaN层，所述GaN衬底包括Fe-GaN衬底；

和/或，所述牺牲层的厚度在100μm以上，所述GaN衬底和外延结构层的尺寸在2英寸以上。