[实用新型]一种多电极半导体激光器封装结构有效
| 申请号： | 202120235508.5 | 申请日： | 2021-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN214227349U | 公开（公告）日： | 2021-09-17 |
| 发明（设计）人： | 谢鹏飞;雷军;吕文强;张永刚;高松信;杜维川;唐淳 | 申请（专利权）人： | 中国工程物理研究院应用电子学研究所 |
| 主分类号： | H01S5/042 | 分类号： | H01S5/042;H01S5/024 |
| 代理公司： | 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 | 代理人： | 卿诚 |
| 地址： | 621000 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种多电极半导体激光器封装结构，属于激光技术领域，包括多电极半导体激光芯片和热沉；多电极半导体激光芯片包括若干个芯片区；芯片区包括芯片区正极和芯片区负极；热沉包括负极金属化层和若干个互相绝缘的正极金属化层；若干个正极金属化层与若干个芯片区的芯片区正极一一对应，且芯片区正极附在对应的正极金属化层上；若干个芯片区的芯片区负极和负极金属化层电导通。本实用新型的一种多电极半导体激光器封装结构，可以满足在不同电极注入大小不同的电流，不同电极对之间不会发生短路，从而实现多电极半导体激光芯片的功能，散热性能好，稳定可靠。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电极 半导体激光器 封装 结构 | ||
【主权项】：
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