[实用新型]一种多电极半导体激光器封装结构有效
| 申请号： | 202120235508.5 | 申请日： | 2021-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN214227349U | 公开（公告）日： | 2021-09-17 |
| 发明（设计）人： | 谢鹏飞;雷军;吕文强;张永刚;高松信;杜维川;唐淳 | 申请（专利权）人： | 中国工程物理研究院应用电子学研究所 |
| 主分类号： | H01S5/042 | 分类号： | H01S5/042;H01S5/024 |
| 代理公司： | 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 | 代理人： | 卿诚 |
| 地址： | 621000 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 电极 半导体激光器 封装 结构 | ||
1.一种多电极半导体激光器封装结构，其特征在于：包括多电极半导体激光芯片(1)和热沉(2)；所述多电极半导体激光芯片(1)包括若干个芯片区(3)；所述芯片区(3)包括芯片区正极(4)和芯片区负极(5)；所述热沉(2)包括负极金属化层(6)和若干个互相绝缘的正极金属化层(7)；若干个正极金属化层(7)与若干个芯片区(3)的芯片区正极(4)一一对应，且芯片区正极(4)附在对应的正极金属化层(7)上；若干个芯片区(3)的芯片区负极(5)和负极金属化层(6)电导通。
2.根据权利要求1所述的一种多电极半导体激光器封装结构，其特征在于：若干个芯片区(3)的芯片区负极(5)和负极金属化层(6)通过若干个电极引线(8)相连。
3.根据权利要求2所述的一种多电极半导体激光器封装结构，其特征在于：所述热沉(2)还包括基板(9)；所述负极金属化层(6)和若干个正极金属化层(7)设在基板(9)顶面；所述芯片区(3)的顶面为芯片区负极(5)，底面为芯片区正极(4)。
4.根据权利要求1所述的一种多电极半导体激光器封装结构，其特征在于：若干个正极金属化层(7)之间设有第一绝缘间隙(10)。
5.根据权利要求1所述的一种多电极半导体激光器封装结构，其特征在于：所述负极金属化层(6)和若干个正极金属化层(7)之间设有第二绝缘间隙(11)。
6.根据权利要求1所述的一种多电极半导体激光器封装结构，其特征在于：若干个正极金属化层(7)上均预置有焊料。
7.根据权利要求1所述的一种多电极半导体激光器封装结构，其特征在于：所述正极金属化层(7)的尺寸超出对应的芯片区(3)的芯片区正极(4)的尺寸。
8.根据权利要求3所述的一种多电极半导体激光器封装结构，其特征在于：所述基板(9)上设有若干个互相平行的贯穿孔(13)；所述贯穿孔(13)的一端口侧设有压电风机。
9.根据权利要求8所述的一种多电极半导体激光器封装结构，其特征在于：所述基板(9)两侧均固定有栅板(14)；所述栅板(14)超出多电极半导体激光芯片(1)的顶面。
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