[实用新型]一种半导体加工用硅材料热熔成锭装置有效
| 申请号： | 202120057260.8 | 申请日： | 2021-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN214218910U | 公开（公告）日： | 2021-09-17 |
| 发明（设计）人： | 马克军 | 申请（专利权）人： | 致胜精工机电（天津）有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/00 | 分类号： | C30B15/00;C30B15/02;C30B29/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300000 天*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及半导体加工附属装置的技术领域，特别是涉及一种半导体加工用硅材料热熔成锭装置，可以在硅材料装填不够的情况对硅材料进行添加，从而节省热能损耗，降低单晶硅生产成本，包括炉体，炉体的内部设置有加热器、保温筒、电极和坩埚，加热器与电极电性连接；还包括储料箱、加料管和加料电机，炉体包括底部炉体、中部炉体和顶部炉盖，储料箱安装于顶部炉盖上，储料箱的底端连通设置有连通管，加料电机的底部输出端设置有加料轴，加料轴的底端穿过顶部炉盖伸入至加料管内，加料轴上设置有螺旋输送叶片，加料管的底端设置有加料嘴，加料嘴的底部输出端伸入至坩埚内，连通管的底端与加料管的外侧顶部连通，并在连通管上设置有开关阀。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 工用 材料 热熔成锭 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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