[发明专利]一种有效控制边缘蚀刻过程的晶圆清洗方法在审
| 申请号： | 202111674421.9 | 申请日： | 2021-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN114420539A | 公开（公告）日： | 2022-04-29 |
| 发明（设计）人： | 邓信甫;陈丁堃;丁立;徐铭 | 申请（专利权）人： | 至微半导体（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/67;H01L21/687;B08B3/02;B08B3/08 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 竺路玲 |
| 地址： | 200241 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种有效控制边缘蚀刻过程的晶圆清洗方法，涉及到晶圆清洗技术领域，包括S1、控制晶圆旋转速度为第一速度，向晶圆表面喷洒第一化学药液，并控制晶圆三维方向表面的温度，然后再通过第一超纯水移除晶圆表面的第一化学药液；S2、控制晶圆旋转速度为第二速度，向晶圆表面喷洒第二化学药液，然后再喷洒第二超纯水移除第二化学药液；S3、向晶圆表面通入异丙醇和氮气，形成晶圆表面的初步干燥，并在晶圆表面形成纳米级薄膜；S4、向晶圆表面通入高温的异丙醇，对已形成异丙醇纳米级薄膜的晶圆表面进行异丙醇的堆积。本发明中，清洗过程中控制晶圆的三维方向表面的温度，可以有效的去除晶圆表面及边缘区域的膜层。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 有效 控制 边缘 蚀刻 过程 清洗 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
