[发明专利]一种低反射的石墨烯偏转型太赫兹波带片的制备方法有效
| 申请号： | 202111645894.6 | 申请日： | 2021-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN114408912B | 公开（公告）日： | 2023-05-02 |
| 发明（设计）人： | 文岐业;锁易昕;李懿航;武毓;黄浩铭;杨青慧;张怀武 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | C01B32/198 | 分类号： | C01B32/198;C01B32/19;C01B32/194;H01P11/00;G02B5/00 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 吴姗霖 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 一种低反射的石墨烯偏转型太赫兹波带片的制备方法，属于太赫兹波技术领域。本发明采用激光直写技术在氧化石墨烯上形成类菲涅尔环的还原氧化石墨烯，得到的太赫兹波带片为氧化石墨烯和还原氧化石墨烯交替形成的结构，还原氧化石墨烯与氧化石墨烯的厚度相近。本发明太赫兹波带片在应用时，入射的太赫兹波束穿过波带片，还原氧化石墨烯图案部分会屏蔽入射波束，氧化石墨烯图案部分会发生衍射，从而改变波束的传播方向，进而实现太赫兹波的聚焦和偏转功能；得到的太赫兹波带片厚度仅为14‑20μm，利于太赫兹通信与成像系统的集成；其反射率低至10％，具有较小的回波损耗，可有效提升应用的太赫兹系统的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 反射 石墨 偏转 赫兹 波带片 制备 方法 | ||
【主权项】：
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