[发明专利]一种低反射的石墨烯偏转型太赫兹波带片的制备方法

权利要求书

1.一种低反射的石墨烯偏转型太赫兹波带片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1、制备氧化石墨烯薄膜；

步骤2、设计正方形的类菲涅尔环结构；

2.1假设太赫兹波带片的工作频率为f，偏转角度为θ，焦距为l，入射太赫兹波的截面半径为r；

2.2确定正方形的类菲涅尔环结构的边长d：

2.3设计N个圆心在一条直线上的偏心圆，由内向外依次记为第1,2,…,n,…,N个偏心圆，假设第n个偏心圆的坐标为其中，为相邻两个偏心圆的相位差，c为光速；假设第n个偏心圆的半径为

2.4对于步骤2.3得到的N个圆心在一条直线上的偏心圆，以由内向外奇数位置上的偏心圆作为环带的内侧、偶数位置上的偏心圆作为环带的外侧，得到环带结构；采用边长为d的正方形对环带结构进行截取，得到正方形的类菲涅尔环结构，其中，正方形的类菲涅尔环结构的中心与第1个偏心圆的圆心之间的距离为正方形的类菲涅尔环结构的一条边与N个偏心圆的圆心所在直线平行；

步骤3、采用激光直写技术对步骤1得到的氧化石墨烯薄膜还原，得到形状为步骤2类菲涅尔环结构的还原氧化石墨烯，即可完成所述太赫兹波带片的制备。

2.根据权利要求1所述的低反射的石墨烯偏转型太赫兹波带片的制备方法，其特征在于，步骤1制备得到的氧化石墨烯薄膜厚度为14-20μm。

3.根据权利要求1所述的低反射的石墨烯偏转型太赫兹波带片的制备方法，其特征在于，步骤3所述激光直写过程中，采用波长为350nm的CO₂激光器，扫描速度为700mm/s-800mm/s，电流为1A，扫描频率为30KHz-35KHz，脉冲宽度为15μs-20μs。