[发明专利]底部抗反射层及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202111631925.2 申请日: 2021-12-28
公开(公告)号: CN114296318A 公开(公告)日: 2022-04-08
发明(设计)人: 顾大公;陈鹏;夏力;马潇;毛智彪;许从应 申请(专利权)人: 宁波南大光电材料有限公司
主分类号: G03F7/09 分类号: G03F7/09
代理公司: 深圳盛德大业知识产权代理事务所(普通合伙) 44333 代理人: 贾振勇
地址: 315800 浙江省*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明适用于光刻胶技术领域,提供了一种底部抗反射层及其制备方法,该方法以下步骤:将第一吸光薄膜溶液旋涂在硅片上,以形成底部抗反射层的第一吸光薄膜层;在所述第一吸光薄膜层上旋涂抗反射薄膜溶液,以形成底部抗反射层的抗反射薄膜层;在所述抗反射薄膜层上旋涂第二吸光薄膜溶液,以形成底部抗反射层的第二吸光薄膜层。本发明通过上述方法在所述第一吸光薄膜层与所述第二吸光薄膜层之间增加了抗反射薄膜层,进一步提高了光刻胶底部界面的抗反射能力,从而使得底部抗反射层能较好的吸收多余的、到达光刻胶薄膜底部的曝光光线,避免或减少反射,进而达到消除驻波、提高线条形貌的目的。
搜索关键词: 底部 反射层 及其 制备 方法
【主权项】:
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