[发明专利]底部抗反射层及其制备方法

权利要求书

1.一种底部抗反射层的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

将第一吸光薄膜溶液旋涂在硅片上，以形成底部抗反射层的第一吸光薄膜层；

在所述第一吸光薄膜层上旋涂抗反射薄膜溶液，以形成底部抗反射层的抗反射薄膜层；

在所述抗反射薄膜层上旋涂第二吸光薄膜溶液，以形成底部抗反射层的第二吸光薄膜层。

2.根据权利要求1所述的底部抗反射层的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

将所述第一吸光薄膜溶液旋涂在硅片上，并以2000～3000转/分钟的速度旋转成膜，同时在150-250℃的热板上烘烤80-100s，冷却后得到所述第一吸光薄膜层；

在所述第一吸光薄膜层上旋涂抗反射薄膜溶液，并以500～3000转/分钟的速度旋转成膜，同时在60-300℃热板上后烘烤90-300秒，冷却后得到所述抗反射薄膜层；

在所述抗反射薄膜层上旋涂第二吸光薄膜溶液，并以2000～3000转/分钟的速度旋转成膜，同时在150-250℃的热板上烘烤80-100s，冷却后得到所述第二吸光薄膜层。

3.根据权利要求2所述的底部抗反射层的制备方法，其特征在于，底部抗反射层的折射率为1.8-1.9，消光系数为0.3-0.4。

4.根据权利要求1所述的底部抗反射层的制备方法，其特征在于，所述第一吸光薄膜、所述第二吸光薄膜为相同材料的吸光薄膜。

5.根据权利要求4所述的底部抗反射层的制备方法，其特征在于，所述第一吸光薄膜溶液、所述第二吸光薄膜溶液包括以下重量百分比的原料：主体树脂1-30％、交联剂0.1-5％、热敏酸0.001-1％，余量为溶剂。

6.根据权利要求5所述的底部抗反射层的制备方法，其特征在于，所述主体树脂为取代(甲基)丙烯酸脂聚合物、取代苯乙烯聚合物或其它取代芳香族聚合物中一种或多种。

7.根据权利要求6所述的底部抗反射层的制备方法，其特征在于，所述主体树脂的结构为：

其中，吸光官能团、交联官能团和辅助官能团的数量比为(10-50％)：(5-40％)：(10-85％)；

吸光官能团是含有芳香环的官能团，即苯基、甲苯基、二甲苯基、氯苯基、氟苯基、联苯基、萘基、蒽基以及其它苯环数在20以内的取代芳基衍生物；

交联官能团是含羟基的官能团，即甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、环己基、降冰片、金刚烷、立方烷以及碳原子数在20以内的单羟基或多羟基烷基衍生物；

辅助官能团是含酯基或/和刚性结构的烷基类或芳基类官能团，即甲醇、乙醇、丙醇、丙二醇、环己醇、降冰片醇、金刚烷醇以及碳原子数在20以内的酯类或/和刚性烷基衍生物。

8.根据权利要求5所述的底部抗反射层的制备方法，其特征在于，所述交联剂为三聚氰胺树脂、氨基树脂、甘脲化合物、二环氧化物中的一种或多种；或/和

所述热敏酸为苯磺酸及其衍生物中的一种或多种；所述苯磺酸衍生物包括：对甲苯磺酸、吡啶对甲苯磺酸、2、4、4、6-四溴环己二烯酮、苯偶因甲苯二烯酮、取代硝基苄基甲苯磺酸盐、烷基对甲苯苯磺酸铵盐；或/和

所述溶剂为丙二醇甲醚醋酸酯、丙二醇单醋酸醚、丙二醇单乙醚、丙二醇甲醚醋酸酯、二缩乙二醇甲醚、二缩乙二醇乙醚、醋酸丁酯、醋酸新戊酯、乳酸乙酯、甲基乙基酮、环己酮、甲基异丁基酮、N-甲基吡咯烷酮、N、N-二甲基甲酰胺、N、N-二甲基乙酰胺和二甲亚砜中的一种或多种。

9.根据权利要求1所述的底部抗反射层的制备方法，其特征在于，抗反射薄膜为纳米氧化硅抗反射薄膜。

10.一种底部抗反射层，应用于光刻胶，其特征在于，由权利要求1-9中任意一项所述的底部抗反射层的制备方法制备得到。