[发明专利]一种具有量子干涉效应的化合物及包含其的单分子场效应晶体管在审
| 申请号： | 202111615533.7 | 申请日： | 2021-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN114292201A | 公开（公告）日： | 2022-04-08 |
| 发明（设计）人： | 郭雪峰;李佩慧;贾传成;汪博宇;常新月 | 申请（专利权）人： | 北京未名元上分子技术有限公司;南开大学 |
| 主分类号： | C07C225/24 | 分类号： | C07C225/24;C07C211/50;C07C211/31;C07C211/25;C07D213/38;H01L51/05;H01L51/40 |
| 代理公司： | 北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙) 11413 | 代理人： | 刘继富;王春伟 |
| 地址： | 101400 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请提供了一种具有量子干涉效应的化合物及包含其的单分子场效应晶体管，由于量子干涉效应，所述单分子场效应晶体管的开关比与普通分子构建的场效应晶体管相比有数量级的提升。本申请的单分子场效应晶体管中，具有量子干涉效应的化合物能够通过酰胺共价键稳定连接于具有纳米间隙阵列的二维单层石墨烯的间隙形成分子异质结，并采用具有原子级平整且原子层厚度可控的新型二维材料，通过不同二维材料的范德华堆叠组装，形成范德华异质结构，能够实现单分子场效应晶体管器件的精准控制制备，使单分子场效应晶体管具有较强的栅电场调控能力，具有较好的稳定性和集成性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 量子 干涉 效应 化合物 包含 分子 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
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