[发明专利]一种全色Micro LED的制备方法以及结构有效
| 申请号： | 202111607826.0 | 申请日： | 2021-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN114242852B | 公开（公告）日： | 2023-01-17 |
| 发明（设计）人： | 李利哲;王国斌 | 申请（专利权）人： | 江苏第三代半导体研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/06;H01L33/12;H01L33/32;H01L33/36;H01L33/42;H01L27/15 |
| 代理公司： | 苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙) 32257 | 代理人： | 冯瑞 |
| 地址： | 215101 江苏省苏州市工业*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种全色Micro LED的制备方法以及结构，包括：提供一涂有光刻胶层的半导体堆叠结构；提供一掩膜版，掩膜版上设有四个子像素区域，掩膜版的四个子像素区域仅在其中一个子像素区域设有曝光窗口；将掩膜版的曝光窗口与光刻胶层的子像素区域相对应，进行曝光显影处理，以暴露出子像素区域的半导体堆叠结构，生长第一发光量子阱层；旋转掩膜版，使曝光窗口依次来到光刻胶层的第二子像素，第三子像素和第四子像素所在的区域，并在每个子像素区域内重复曝光显影处理，生长发光量子阱层，从而分别得到第二发光量子阱层，第三发光量子阱层和第四发光量子阱层。本发明采用一个掩膜版形成多个发光量子阱层，减少了制造成本，并提高了发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 全色 micro led 制备 方法 以及 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
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