[发明专利]图像传感器在审
| 申请号： | 202111604053.0 | 申请日： | 2021-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN114256282A | 公开（公告）日： | 2022-03-29 |
| 发明（设计）人： | 康晓旭;张南平 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司;上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 上海恒锐佳知识产权代理事务所(普通合伙) 31286 | 代理人： | 黄海霞 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种图像传感器。所述图像传感器包括衬底、若干光电转换结构、若干传输区和若干调压结构。所述图像传感器通过设置的若干传输区与每个所述光电转换结构的近端部对应电接触，且相邻所述光电转换结构的两个近端部位于不同侧，形成了指向传输区的多个内建电场，结合设置于相邻所述光电转换结构之间的若干调压结构，有利于提高光生电子的迁移速率。 | ||
| 搜索关键词： | 图像传感器 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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