[发明专利]一种用于晶圆制造工艺的结构尺寸测量方法及参考图形在审
| 申请号： | 202111595261.9 | 申请日： | 2021-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN115602561A | 公开（公告）日： | 2023-01-13 |
| 发明（设计）人： | 许喆 | 申请（专利权）人： | 和舰芯片制造（苏州）股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L23/544 |
| 代理公司： | 北京连和连知识产权代理有限公司 11278 | 代理人： | 杨帆;李红萧 |
| 地址： | 215025 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于晶圆制造工艺的结构尺寸测量方法，其特征在于，包含以下步骤：步骤一，在基底层上方沉积形成第一层晶圆结构；步骤二，在晶圆的切割道处设置至少一个第一参考图形，其中，依据切割道的宽度选择第一参考图形的形状；步骤三，在第一参考图形处进行蚀刻以形成横截面与第一参考图形相对应的第一沟槽，并基于第一参考图形处薄膜的厚度确定第一层晶圆结构的厚度。该测量方法通过将参考图形设置于适当宽度的晶圆切割道内，有效避免了测量过程中对晶圆内部电路的破坏并同时确保了测量值的准确度。本发明同时提供一种适用于上述方法的参考图形。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 制造 工艺 结构 尺寸 测量方法 参考 图形 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
