[发明专利]发光二极管及其制备方法在审
| 申请号： | 202111589053.8 | 申请日： | 2021-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN116367587A | 公开（公告）日： | 2023-06-30 |
| 发明（设计）人： | 林雄风 | 申请（专利权）人： | TCL科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H10K50/805 | 分类号： | H10K50/805;H10K50/115;H10K71/00 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人： | 杜蕾 |
| 地址： | 516006 广东省惠州市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种发光二极管及其制备方法，涉及光电技术领域。发光二极管包括叉指电极，叉指电极的表面形成有凹坑或凸起；功能层，功能层形成于叉指电极的表面，功能层的厚度小于凹坑的深度或凸起的高度；以及发光层，发光层形成于功能层的表面。该发光二极管能够改善背接触式器件结构中功能层与发光层的有效接触面积小的问题，有效减小背接触式器件结构对载流子从功能层至发光层的注入量限制，从而提升器件效率。本发明还提供了上述发光二极管的制备方法。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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