[发明专利]一种扩展阵列连续差阵的非均匀移动方法在审

专利信息
申请号: 202111588279.6 申请日: 2021-12-23
公开(公告)号: CN114355276A 公开(公告)日: 2022-04-15
发明(设计)人: 马鹏辉;李建峰;潘晶晶;张小飞 申请(专利权)人: 南京航空航天大学
主分类号: G01S3/00 分类号: G01S3/00
代理公司: 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 代理人: 唐少群
地址: 210016 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种扩展阵列连续差阵的非均匀移动方法,包括:确定进行DOA估计的阵列的物理阵元位置;确定物理阵列的差阵中各虚拟阵元的位置,得到所有相邻虚拟阵元的最大间距;通过对物理阵列进行非均匀的移动,得到相应的合成阵列;此时得到的合成阵列的差阵是完全连续的,对此合成阵列应用DOA估计方法,即可得到相应的DOA估计值。本发明能够通过阵列特定形式的移动填补原始物理阵列差阵中的孔洞,得到一个完全连续的、孔径扩展的差阵。本发明方法无需在原始阵列中添加额外的物理阵元,即能得到扩展的阵列孔径和增强的DOA估计精度,使得阵列的建造成本降低,易于工程实现。
搜索关键词: 一种 扩展 阵列 连续 均匀 移动 方法
【主权项】:
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