[发明专利]互补式高电子迁移率晶体管在审
| 申请号： | 202111587039.4 | 申请日： | 2021-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN116387314A | 公开（公告）日： | 2023-07-04 |
| 发明（设计）人： | 侯信铭 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/085 | 分类号： | H01L27/085;H01L29/778 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 王锐 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种互补式高电子迁移率晶体管，其包含一基底，一N型高电子迁移率晶体管和一P型高电子迁移率晶体管设置于基底上，N型高电子迁移率晶体管包含一第一未掺杂氮化镓层、一第一量子局限沟道、一第一未掺杂III‑V族氮化物层和一N型III‑V族氮化物层由下至上堆叠，一第一栅极、一第一源极和一第一漏极设置在第一未掺杂氮化镓层的上方，P型高电子迁移率晶体管包含一第二未掺杂氮化镓层、一第二量子局限沟道、一第二未掺杂III‑V族氮化物层和一P型III‑V族氮化物层由下至上堆叠，一第二栅极、一第二源极和一第二漏极设置在第二未掺杂氮化镓层的上方。 | ||
| 搜索关键词： | 互补 电子 迁移率 晶体管 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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