[发明专利]超结器件结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202111581793.7 | 申请日： | 2021-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN114628493A | 公开（公告）日： | 2022-06-14 |
| 发明（设计）人： | 徐大朋;罗杰馨;柴展;黄肖艳 | 申请（专利权）人： | 上海功成半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/32;H01L29/78;H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 卢炳琼 |
| 地址： | 201822 上海市嘉定区*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种超结器件结构及其制备方法，超结器件结构包括：第一导电类型的半导体衬底；第一导电类型的外延层，位于半导体衬底的上表面；第二导电类型的柱结构，位于外延层内，且沿外延层的厚度方向延伸，柱结构与外延层具有不同的晶格常数，外延层包含硅材料层；柱结构包含锗硅材料层。本发明通过形成与外延层具有不同晶格常数的柱结构，引入均匀可控的缺陷，从而增加载流子复合几率，降低载流子寿命，以达到在器件关断时载流子迅速减少的目的，对外延的第一导电类型薄膜产生压应力，导致外延第一导电类型漂移区载流子迁移率发生改变，相比传统超结器件，提升了反向恢复能力。 | ||
| 搜索关键词： | 器件 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海功成半导体科技有限公司，未经上海功成半导体科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202111581793.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
