[发明专利]一种锰掺杂的中空介孔二氧化硅纳米材料及其制备方法与应用有效
| 申请号： | 202111580245.2 | 申请日： | 2021-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN114394602B | 公开（公告）日： | 2023-09-22 |
| 发明（设计）人： | 邓君;李西兰;罗高兴;刘云 | 申请（专利权）人： | 中国人民解放军陆军军医大学第一附属医院 |
| 主分类号： | C01B33/18 | 分类号： | C01B33/18;C01B33/20;A61K49/08 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 苏运贞 |
| 地址： | 400038 重*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种锰掺杂的中空介孔二氧化硅纳米材料及其制备方法与应用。本发明通过正硅酸乙酯在乙醇、氨水环境下制备得到二氧化硅纳米颗粒；可溶性锰盐在可溶性铵盐和氨水环境下，与二氧化硅纳米颗粒水悬浮液混合，通过水热反应，制备得到锰掺杂的中空介孔二氧化硅纳米材料。本发明在合成过程中无需用到强生物毒性的表面活性剂如CTAB、CTAC，制备方法更加温和、简单。该锰掺杂的中空介孔二氧化硅纳米材料，SiO |
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| 搜索关键词： | 一种 掺杂 中空 二氧化硅 纳米 材料 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
暂无信息
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